半导体激光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉本晋; 松原秀树; 齐藤裕久; 三崎贵史; 中西文毅; 森大树 |
| 发表日期 | 2007-09-19 |
| 专利号 | CN101040409A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。 |
| 公开日期 | 2007-09-19 |
| 申请日期 | 2005-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉本晋,松原秀树,齐藤裕久,等. 半导体激光器件及其制造方法. CN101040409A. 2007-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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