半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴間 功 |
| 发表日期 | 2001-02-23 |
| 专利号 | JP2001053381A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 端面に不純物拡散窓構造を備えた半導体レーザ装置の製造方法において、窓構造を簡略に作成し、かつ信頼性を向上させる。 【解決手段】 n型GaAs基板11上に有機金属気相成長法により、n-GaAsバッファ層12、n-Al0.6Ga0.4Asクラッド層13、In0.5Ga0.5P光ガイド層14、In0.15Ga0.85As0.65P0.35活性層15、In0.5Ga0.5P光ガイド層16、p-Al0.6Ga0.4Asクラッド層17、p-GaAsキャップ層18を積層してなる結晶層を形成する。その上にSiO2膜19を形成し、レジストを塗布しリソグラフィにより端面近傍のレジストパターン20を除去する。次にNイオン21を結晶層の結晶軸に平行に注入し、注入イオンをチャネリングさせ、端面近傍に不純物拡散窓構造22を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-02-23 |
| 申请日期 | 1999-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴間 功. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2001053381A. 2001-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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