光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 駒崎 岩男 |
| 发表日期 | 1994-08-23 |
| 专利号 | JP1994237011A |
| 著作权人 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】この発明は、高効率,高出力化を図ることを主要な目的とする。 【構成】基板(11)上に、第1クラッド層(12)、量子井戸活性層(13)を順次介してメサ状第2クラッド層(14)を設け、この第2クラッド層(14)を電流ブロック層(16)で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層(13)の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層(13)全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。 |
| 公开日期 | 1994-08-23 |
| 申请日期 | 1993-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82838]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 光半導体素子. JP1994237011A. 1994-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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