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文献类型：专利
| 作者 | SUZUKI TOORU |
| 发表日期 | 1993-02-03 |
| 专利号 | JP1993008876B2 |
| 著作权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | - |
| 英文摘要 | PURPOSE: To obtain a buried type AlGaInP visible-light semiconductor laser readily, by transferring a wafer to the formation of a double heterostructure, which is to become the base of a laser, continuously, without taking the wafer out of a reacting tube, and controlling a lateral mode excellently. CONSTITUTION: On a GaAs substrate 1, an (AlxGa1-x)0.5In0.5P layer 2 (0 |
| 公开日期 | 1993-02-03 |
| 申请日期 | 1986-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82842]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI TOORU. -. JP1993008876B2. 1993-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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