Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | HIRATA, SHOJI; UCHIDA, SHIRO; IWAMOTO, KOJI; NAGASAKI, HIROKI; TOJYO, TSUYOSHI |
| 发表日期 | 2005-03-16 |
| 专利号 | EP1515405A2 |
| 著作权人 | SONY CORPORATION |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | An AlGalnP-based buried-ridge semiconductor laser includes an n-type GaAs current blocking layer 8 buried in opposite sides of a ridge stripe portion 7 which is made of an upper-layer portion of a p-type AlGaInP cladding layer 4, p-type GaInP intermediate layer 5 and p-type GaAs contact layer 6. The ridge stripe portion 7 includes tapered regions 7a having the length of L1 at cavity-lengthwise opposite ends of the ridge stripe portion 7. |
| 公开日期 | 2005-03-16 |
| 申请日期 | 1997-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIRATA, SHOJI,UCHIDA, SHIRO,IWAMOTO, KOJI,et al. Semiconductor laser. EP1515405A2. 2005-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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