半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大倉 裕二 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209558A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 MQW活性層を有する半導体レーザにおいて、MQW活性層による低しきい値特性を保持しつつ、ノイズ特性を向上する。 【解決手段】 MQW活性層113を第1上クラッド層4と下クラッド層2との間に挟み込んでなり、該MQW活性層113にてレーザ光を発生させるための半導体積層構造110aと、該半導体積層構造110aの近傍に配置され、レーザ光が上記MQW活性層113を中心とする所定領域10に集中するようレーザ光の横方向閉込めを行う光閉じ込め構造200bとを有し、上記MQW活性層113を、これを構成する3つのウェル層112a,112b,112cが、互いの光発振動作が相互に干渉しない程度離して配置され、各ウェル層のバンドギャップエネルギーが異なっている構造とした。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大倉 裕二. 半導体レーザ. JP1998209558A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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