半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 橋津 敏宏 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086676A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 安定して、縦モードを多モード化し、波長スペクトルの幅広化をはかる【構成】 少なくとも第1のクラッド層11と、活性層13と、第2のクラッド層12とを有する半導体レーザにおいて、その少なくともいずれか一方のクラッド層12内に、活性層13に対向して可飽和吸収体層14が配置された構成とする。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82854]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋津 敏宏. 半導体レーザ. JP1995086676A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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