半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 田中 俊明; 内田 憲治 |
| 发表日期 | 1997-11-18 |
| 专利号 | JP1997298341A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】青紫色波長域の半導体レーザの素子抵抗や動作電圧を低減する。 【解決手段】光導波層3,7,13、光分離閉じ込め層4,6、活性層5、コンタクト層8からなる半導体レーザ素子において、p型結晶層である層7,13,13は、すべてIn組成を変調した超格子ヘテロ構造とし、In組成の変調構造に同期させてp型不純物を変調ドープする。 【効果】p型光導波層の正孔キャリア濃度を従来よりも一桁近く高く活性化できたので、p型光導波層の抵抗率を低減でき、p型コンタクト層とp側電極の接触抵抗も改善できた。これにより、素子抵抗を従来の1/5から1/10に低減するとともに、注入電流20mA時の素子動作電圧を従来の3.6Vに対して3.1〜3.3Vにまで低減できた。 |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 申请日期 | 1996-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82877]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,内田 憲治. 半導体レーザ素子. JP1997298341A. 1997-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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