自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 西口 晴美; 島 顕洋 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256642A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 発振波長が変化した場合であっても安定した自励発振が得られる自励発振型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 自励発振型半導体レーザの可飽和吸収層の吸収波長に対する光吸収係数の変化率が、活性層からの発光波長近傍において実質的に飽和するように活性層の材料と可飽和吸収層の材料とを選択する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口 晴美,島 顕洋. 自励発振型半導体レーザ. JP1998256642A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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