半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉年 慶一; 茨木 晃; 林 伸彦; 古沢 浩太郎; 田尻 敦志; 石川 徹; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙 |
| 发表日期 | 2001-10-05 |
| 专利号 | JP3238974B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1と、このn型GaAs基板1上に形成したn型AlGaAs第1クラッド層2と、この第1クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成したストライプ状のリッジ部を有するp型AlGaAs第2クラッド層5とを備え、前記第1クラッド層2中にn型AluGa1-uAs第1過飽和光吸収層3を有すると共に前記第2クラッド層5のp型第3AlGaAsクラッド層5a上にp型AluGa1-uAs第2過飽和光吸収層6を有し、且つこの第1、第2過飽和光吸収層3、6は発振波長エネルギーと等しいバンドギャップエネルギーをもつ構成とした。 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82891]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉年 慶一,茨木 晃,林 伸彦,等. 半導体レーザ素子. JP3238974B2. 2001-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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