半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大塚 信之; 中村 真嗣; 鬼頭 雅弘; 松井 康 |
| 发表日期 | 1995-04-25 |
| 专利号 | JP1995111362A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 分布帰還型半導体レーザに関するもので、特にグレーティングの高さを結晶成長により調整することで回折効率を調整して、エッチングによらず単一モード発振歩留まりの向上を実現した半導体レーザ装置を実現する。 【構成】 n-InP基板1上に、ある周期を持つ分布帰還型回折格子2を形成する。その上にInPバッファ層3、InGaAsP(λ=3μm)導波路層4、InGaAsP(λ=4μm)井戸層5、InGaAsP(λ=1μm)バリア層6、p-n-pInP埋め込み層7、p-InGaAsP(λ=3μm)キャップ層8、蒸着によりAu/Znのp側電極9、Au-Snのn側電極10を形成する。これにより分布帰還型回折格子2の回折効率を小さくしたレーザ構造を得る。 |
| 公开日期 | 1995-04-25 |
| 申请日期 | 1993-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82900]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,中村 真嗣,鬼頭 雅弘,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995111362A. 1995-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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