半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 順一; 村田 道夫; 生駒 暢之; 福井 二郎 |
| 发表日期 | 1998-03-31 |
| 专利号 | JP1998084162A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、レーザ光をその端面から出射するための化合物半導体層を形成し、プラズマイオンを照射することにより、この端面に形成される酸化膜を除去する。さらに、酸化膜の除去された化合物半導体層の端面に直接接触する反射膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-03-31 |
| 申请日期 | 1996-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82902]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 順一,村田 道夫,生駒 暢之,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998084162A. 1998-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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