高出力半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 多田 健太郎 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP2000294877A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高出力半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高光出力のレーザ光源を必要とする書き換え可能な光ディスクなどへの適用が可能な、キンク光出力が高い半導体レーザとその製造方法を提供する。また、レーザ発振時の注入電流による発熱を低く抑えることで、動作電流が低い半導体レーザとその製造方法を提供する。 【解決手段】 ドライエッチングにより、適当なエッチングガス圧、適当な基板温度の条件下でメサ112の形成を行うことで、閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が(001)から傾斜した基板102上に、少なくとも活性層104とそれを挟むクラッド層103、107からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無い半導体レーザを製作できる。 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 申请日期 | 1999-04-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82906]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 健太郎. 高出力半導体レーザ及びその製造方法. JP2000294877A. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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