広帯域半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之; 勝山 俊夫 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114662A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 広帯域半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【課題】 広帯域に亘って平坦な利得特性を有する広帯域半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 基板1上に下部クラッド層3、活性層4及び上部クラッド層5が積層され、この上部クラッド層5上に上部電極7が装荷され、前記基板1下に下部電極2が装荷され、前記上部電極7より前記活性層4に電流を注入して前記活性層4中を伝搬する光を増幅する半導体光増幅器において、前記活性層4が少なくとも2つの活性層4-1,4-2に分割され、これら活性層4-1,4-2が順次光を導くように密結合領域14を介して並べられ、この密結合領域14は、隣り合う活性層4-1,4-2が互いに面で接することにより形成される。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-10-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之,勝山 俊夫. 広帯域半導体光増幅器. JP2000114662A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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