半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 2000-09-29 |
| 专利号 | JP2000269606A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Zn拡散型ウィンドウ構造の可視光半導体レーザにおいて、励起領域へのZnの拡散を抑制し、品質の低下を防止して発光効率の高い半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 半導体基板上にクラッド層130、歪補償多重量子井戸構造の活性層110、クラッド層120を有し、かつその端部にはZn拡散領域230が形成されてウィンドウ構造の半導体レーザとする。活性層110を歪補償多重量子井戸構造とすることで、Zn拡散のための熱処理を低温かつ短時間にすることができ、励起領域へのZnの拡散を抑制して品質の低下を防ぎ、これにより発光効率の高い、特性の良好なZn拡散型ウィンドウ構造の可視光半導体レーザ素子が作製可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 申请日期 | 1999-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82959]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土井 健嗣. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP2000269606A. 2000-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。