半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 笠原 正樹; 阪口 伸一; 渡辺 重光; 小野 位 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013713A |
| 著作权人 | ミツミ電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、活性層,クラッド層の界面における屈折率の差を小さくすることによって、該活性層からクラッド層に光を導出せしめるようにして、光出力を増大せしめると共に、該界面におけるメルトバックを防止することにより、効率の良い半導体レーザー装置を提供することを目的とする。 【構成】活性層16と、該活性層16を挟むように、該活性層16の両面に備えられた第一及び第二のクラッド層14,18と、第一のクラッド層14に隣接して備えられたストライプ状溝13を有する電流狭窄層12と含む半導体基板11とから成る、半導体レーザー装置10において、該活性層16と第一及び第二のクラッド層14,18との界面のうち、少なくとも第二のクラッド層18との界面に、該活性層16とクラッド層18の屈折率の中間の屈折率を有する光ガイド層17が設けられているように、半導体レーザー装置を構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1991-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82986]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ミツミ電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠原 正樹,阪口 伸一,渡辺 重光,等. 半導体レーザー装置. JP1994013713A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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