半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 長尾 哲; 藤井 克司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 2008-08-01 |
| 专利号 | JP4163321B2 |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は簡便な方法で製造することが可能で、レーザ特性が安定している、リッジ導波型ストライプ構造を有する半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 2008-10-08 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82998]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,長尾 哲,藤井 克司,等. 半導体発光装置. JP4163321B2. 2008-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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