半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 安藤 精後; 小林 直樹; 安藤 弘明 |
| 发表日期 | 1997-09-22 |
| 专利号 | JP1997252161A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 短共振器半導体レーザについて、支柱構造を必要とせず、選択成長によるレーザ構造の形成に際しては、光導波路の接合部で異常成長が発生しないで、しかも選択成長膜の開口部の形状誤差に影響を受けにくいレーザ構造を実現すること。 【解決手段】 半導体レーザは、(111)B面を主面とする化合物半導体基板1の表面であって絶縁膜2で覆われない開口部2aに第一のAlGaAsクラッド層3、GaAs活性層4、第二のAlGaAsクラッド層5を三角柱状に積層し、この半導体レーザ本体20にレーザ光取り出し光導波路21を例えば3本一体に形成して、化合物半導体基板1に垂直な{110}面からなる側面に囲まれた三角柱状の化合物半導体積層によって構成されるダブルヘテロ接合を備える。 |
| 公开日期 | 1997-09-22 |
| 申请日期 | 1996-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83011]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安藤 精後,小林 直樹,安藤 弘明. 半導体レーザ. JP1997252161A. 1997-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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