量子井戸型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 今本 浩史 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082898A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 発光波長の温度安定性がよく、しかも、発光波長の変動の小さな温度領域を制御することができる量子井戸型反導体レーザを提供する。 【構成】 活性層4は4重量子井戸構造となっており、各井戸層9a〜9dには2つの量子準位E0及びE1が生成している。当該半導体レーザ素子1の両出射端面(へき開面)11には、低次の量子準位E0に対応する発光波長λ=850nmよりも高次の量子準位E1に対応する発光波長λ=790nmで高反射率となるように例えばSiO2やAl2O3等の誘電体膜からなる端面コート12を施してある。このため、共振器長を変えることなく波長変動の小さな領域を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83012]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今本 浩史. 量子井戸型半導体レーザ. JP1993082898A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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