半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山口 武治; 向原 智一; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2000-08-29 |
| 专利号 | JP2000236141A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 注入電流に対して、安定した光出力及び縦多モード発振スペクトルを得る構成を備えた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 本半導体発光素子200は、980nm帯のInGaAs系端面発光型レーザ素子であって、厚さ100μmのn-GaAs基板100上に、順次、エピタキシャル成長した、膜厚2μmのn-Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層110、膜厚30nmの非導電型Al0.2 Ga0.8 As SCH層120、非導電型InGaAs/GaInAs量子井戸層130、膜厚30nmの非導電型Al0.2 Ga0.8 As SCH層140、膜厚2μmのp-Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層150、及び膜厚0.3μmのGaAs キャップ層160からなる積層構造を備えている。クラッド層150の上層とキャップ層とは、幅4μmのメサストライプ状に加工され、キャップ層上にはSiN膜からなるパッシベーション膜170が成膜されている。 |
| 公开日期 | 2000-08-29 |
| 申请日期 | 1999-02-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83020]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 武治,向原 智一,粕川 秋彦. 半導体発光素子. JP2000236141A. 2000-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。