半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中山 久志; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 |
| 发表日期 | 2000-09-14 |
| 专利号 | JP2000252590A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、電子のオーバーフローを抑制し、かつ結晶性の良好な活性層を有する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 n型InP基板101と、前記n型InP基板1上に形成されたp型InPクラッド層106およびn型InPクラッド層102と、前記p型InPクラッド層106と前記n型InPクラッド層102との間に形成され、InGaAsP障壁層109とInGaAsP井戸層108とを交互にそれぞれ2層以上形成してなる活性層104とを備え、隣り合う前記InGaAs障壁層109と前記InGaAs井戸層108との伝導帯のバンドオフセット量の絶対値を前記p型InPクラッド層106に近づくほど大きくする。 |
| 公开日期 | 2000-09-14 |
| 申请日期 | 1999-03-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83027]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 久志,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 半導体レーザ装置. JP2000252590A. 2000-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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