Semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | KUME, MASAHIRO; BAN, YUUZABUROU; ISHIBASHI, AKIHIKO; UEMURA, NOBUYUKI; TAKEISI, HIDEMI; KIDOGUCHI, ISAO |
| 发表日期 | 1999-07-13 |
| 专利号 | US5923690 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| 英文摘要 | A gallium nitride group compound semiconductor laser device of the present invention includes: a substrate; and a layered structure provided on the substrate, wherein the layered structure includes an InzGa1-zN active layer (0 |
| 公开日期 | 1999-07-13 |
| 申请日期 | 1997-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83034]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUME, MASAHIRO,BAN, YUUZABUROU,ISHIBASHI, AKIHIKO,et al. Semiconductor laser device. US5923690. 1999-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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