半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 江川 満 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064468A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体装置の製造方法に関し、レーザ領域に隣接し、レーザ領域よりもキャリア密度が小さいテーパ導波路領域もしくは光変調器領域を有する集積レーザ構造を形成する手段を提供する。 【解決手段】 誘電体マスクを施した半導体基板上に、有機金属気相成長法によりIn,Ga,Al中の1つ以上の元素と、As,P中の1つ以上の元素を含むIII -V族半導体材料から構成される集積レーザ構造を成長する場合に、p型クラッド層の成長時にp型ドーパントであるジメチル亜鉛あるいはジエチル亜鉛の他にn型ドーパントとしてモノシランを添加してキャリアを補償する。n型クラッド層およびn型光導波層の成長時にn型ドーパントして硫化水素を添加する。成長速度がマスクレス基板の場合のA倍になる領域の電子密度をBに制御するために、マスクレス基板で電子密度Bを得るのに要するドーパント供給量CのA倍のドーパント量を供給する。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川 満. 半導体装置の製造方法. JP1997064468A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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