半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大野 智弘; 黒田 崇郎; 河野 敏弘; 佐々木 義光; 岡 聡彦 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167178A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】メサ上部にメサストライプと同じ幅のSi3N4とSiO2 の二層膜を形成し、その後、SiO2 のみ選択ウエットエッチングし幅を狭くすることによってひさしを形成した。 【効果】ホトマスクサイズ通りに形成したメサの幅を保存したままMOCVDによる埋込み成長が出来るので、ウエハ内でメサ幅のばらつきを小さくすることが出来る。その結果、ウエハ内で特性が揃い、歩留が向上する。また、誘電体膜下の半導体層の結晶成長が進行する面を減らすことができ、埋込み成長時の平坦性が増す。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智弘,黒田 崇郎,河野 敏弘,等. 半導体装置の製造方法. JP1993167178A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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