半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加守田 裕樹; 速水 一行 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291616A |
| 著作权人 | OMRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 面発光型の半導体発光素子を、表面モホロジーを劣化させることなく、単純な製造プロセスで製造できるようにする。 【構成】 基板1上にn型バッファ層2、n型下クラッド層3、活性層4、p型上クラッド層5、n型電流ブロック層6、p型導電層7、p型コンタクト層8及び拡散保護層9を1回の結晶成長工程により順次エピタキシャル成長させる。拡散保護層9上に拡散剤層10を形成し、p型上クラッド層5まで不純物を拡散させ、p型電流通路領域11を形成する。拡散保護層9をエッチング除去し、p型コンタクト層8を露出させ、その上にp側電極12を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83054]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加守田 裕樹,速水 一行. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993291616A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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