半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中山 典一 |
| 发表日期 | 1994-11-25 |
| 专利号 | JP1994326413A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの電流狭窄特性を変えることなくp側電極での接触抵抗を減らして発熱量を小さくすると共に、放熱特性を改善する。 【構成】 n型の基板1の上に、少なくとも第1のクラッド層3、活性層4、第2のクラッド層5を形成して、この基板1と第1のクラッド層3との間にp型の電流狭窄層2を設ける構成とする。 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 申请日期 | 1993-05-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 典一. 半導体レーザ. JP1994326413A. 1994-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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