半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 板屋 義夫; 松本 信一 |
| 发表日期 | 1995-05-02 |
| 专利号 | JP1995115251A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高速変調が可能な低い素子抵抗をもつ埋め込み構造レーザを提供する。 【構成】 半導体レーザは第1の導電型を有する(100)半導体基板201上に、第1の導電型を有するバッファ層302、歪量子井戸活性層305、第2の導電型を有するクラッド層306、第1の電極層307、第2の電極層308を形成しこれらを加工してメサストライプ310とし、メサ側壁を鉄ドープ高抵抗埋込み層311により埋込み、SiO2膜312を付け、窓開けをし、p形電極314とn形電極315を両側に形成する。クラッド層306と接する第1の電極層307のエネルギギャップがクラッド層より小さく、第1の電極層の上の第2の電極層308のエネルギギャップより大きくする。電極層は3層以上設け順次エネルギギャップを大きくしてもよい。 |
| 公开日期 | 1995-05-02 |
| 申请日期 | 1993-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83072]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板屋 義夫,松本 信一. 半導体レーザ. JP1995115251A. 1995-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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