半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 簗嶋 克典; 河角 孝行 |
| 发表日期 | 1997-07-11 |
| 专利号 | JP1997181398A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 発光素子構造を構成するn型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層9、Zn0.75Cd0.25Se活性層10、p型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層11をこれらの層と格子整合するn型In0.3 Ga0.7 As層8を介してn型GaAs基板1上に積層する。n型GaAs基板1とn型In0.3Ga0.7 As層8との間には、n型In0.05Ga0.95As層3、n型In0.1 Ga0.9 As層4、n型In0.15Ga0.85As層5、n型In0.2 Ga0.8 As層6およびn型In0.25Ga0.75As層7を挿入し、格子不整合を緩和する。 |
| 公开日期 | 1997-07-11 |
| 申请日期 | 1995-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋 克典,河角 孝行. 半導体発光素子. JP1997181398A. 1997-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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