分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 藤原 正敏 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045907A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 屈折率分布の影響の少ない利得結合型の分布帰還型レーザを得る。 【構成】 第1導電形基板1a上に形成された、その表面が、ストライプ状の凸部と凹部とが光の導波される方向に周期的に配置されてなり,上記凹部に平坦な底面を有する凹凸形状である第1導電形クラッド層2と、上記クラッド層2上にほぼ均一な厚さに形成された、上記平坦な底面上に形成された領域の禁制帯幅が上記平坦な底面上以外の部分上に形成された領域の禁制帯幅より大きい活性層3と、該活性層上に配置された第2導電形クラッド層4とを備えた構成とした。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原 正敏. 分布帰還型半導体レーザ. JP1995045907A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。