半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 小野 佑一; 梶村 俊 |
| 发表日期 | 1996-11-22 |
| 专利号 | JP1996307010A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザの素子寿命低下を防止すること。 【構成】基板上部に形成された活性層上に、第1導電型のクラッド層を形成し、この上部をリッジ形状ストライプに成形する。リッジ形状ストライプは[110]方向に延伸し、その側面が基板表面となす角度は100度以下とする。リッジ形状ストライプの側面を埋め込む第2導電型の半導体層は、ストライプ上面にSiO2又はSi3N4のマスクを残した状態でMOCVD法等により形成されるため、ストライプ上面を覆うことなく、且つこの面に対し略平坦に形成される。 【効果】リッジ形状ストライプ並びにこれを埋め込む層を形成する際に生じる半導体レーザの電気的、光学的に活性な領域における結晶欠陥発生が抑制できるため、半導体レーザの光出力低下を押さえ、長寿命化を達成できる。 |
| 公开日期 | 1996-11-22 |
| 申请日期 | 1985-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83090]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,小野 佑一,梶村 俊. 半導体レーザ. JP1996307010A. 1996-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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