半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 今西 大介 |
| 发表日期 | 2006-07-27 |
| 专利号 | JP2006196660A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】高温動作や高出力動作を可能とする半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10と、基板10上に少なくともn型クラッド層11、活性層13およびp型クラッド層15をこの順に含んで設けられた半導体層とを備えた半導体レーザ1であって、p型クラッド層15は、その内部にp型クラッド層15と異なる組成からなる不純物拡散防止層を少なくとも2層(第1不純物拡散防止層16Aおよび第2不純物拡散防止層16B)含むものである。不純物拡散防止層16A,16Bは、活性層13の上にp型クラッド層15をエピタキシャル成長させる際にドープされるp型不純物が活性層13にまで拡散するのを防止するためのものである。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-07-27 |
| 申请日期 | 2005-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83101]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西 大介. 半導体レーザ. JP2006196660A. 2006-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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