半導体レ-ザ
文献类型：专利
| 作者 | 田中 治夫; 虫上 雅人 |
| 发表日期 | 1996-11-21 |
| 专利号 | JP2584606B2 |
| 著作权人 | ロ-ム 株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ |
| 英文摘要 | PURPOSE:To contrive to stabilize the longitudinal modes of laser beams by a method wherein the longitudinal modes of an active layer are respectively locked in the longitudinal modes of two photo waveguide layers, which have been respectively formed on the active layer and under the active layer. CONSTITUTION:A second clad layer 4 and a first clad layer 2 are respectively formed on an active layer 3 and under the active layer 3. The clad layer 4 consists of an n type AlZ'Ga1-Z'As layer 41, an n type AlZ''Ga1-Z''As layer 42 and an n type AlY''Ga1-Y''As photo waveguide layer 43 (Y'' |
| 公开日期 | 1997-02-26 |
| 申请日期 | 1983-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83111]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ロ-ム 株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 治夫,虫上 雅人. 半導体レ-ザ. JP2584606B2. 1996-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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