电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姬庆刚2; 刘杰 ; 李东青; 刘天奇; 叶兵; 赵培雄; 孙友梅; 陆妩; 郑齐文
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| 刊名 | 原子核物理评论
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| 出版日期 | 2019 |
| 期号 | 03页码:367-372 |
| 英文摘要 | 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到“印记效应”,数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/134888]  |
| 专题 | 近代物理研究所_材料研究中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学核科学与技术学院; 2.中国科学院近代物理研究所; 3.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姬庆刚,刘杰,李东青,等. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论,2019(03):367-372. |
| APA | 姬庆刚.,刘杰.,李东青.,刘天奇.,叶兵.,...&郑齐文.(2019).电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响.原子核物理评论(03),367-372. |
| MLA | 姬庆刚,et al."电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响".原子核物理评论 .03(2019):367-372. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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