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Selective etching characteristics of the AgInSbTe phase change film in laser thermal lithography

文献类型:期刊论文

作者Li H(李豪) ; Geng YY(耿永友) ; Wu YQ(吴谊群)
刊名applied physics a: materials science & processing
出版日期2012
卷号107期号:1页码:221-225
关键词thermal lithography AgInSbTe
通讯作者吴谊群
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-09-09
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/11040]  
专题上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Li H,Geng YY,Wu YQ. Selective etching characteristics of the AgInSbTe phase change film in laser thermal lithography[J]. applied physics a: materials science & processing,2012,107(1):221-225.
APA Li H,Geng YY,&Wu YQ.(2012).Selective etching characteristics of the AgInSbTe phase change film in laser thermal lithography.applied physics a: materials science & processing,107(1),221-225.
MLA Li H,et al."Selective etching characteristics of the AgInSbTe phase change film in laser thermal lithography".applied physics a: materials science & processing 107.1(2012):221-225.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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