铜箔表面化学刻蚀预处理对CVD法制备石墨烯的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘湘祁; 尹建成; 林正得 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2019-10-20 |
| 卷号 | 37期号:05页码:763-767 |
| 英文摘要 | 铜箔上的杂质在化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯的过程中会形成氧化物颗粒,导致所制得的石墨烯质量降低。为解决这一问题,可以在CVD生长石墨烯之前对铜箔表面进行预处理来去除铜箔表面杂质并降低铜箔粗糙度。本研究使用过硫酸铵溶液和稀醋酸溶液分别对铜箔表面进行轻微刻蚀,以此作为预处理手段,研究其对CVD生长制备石墨烯的影响,并对铜箔和石墨烯使用拉曼光谱和霍尔效应测试等方法进行表征。研究发现这一化学预处理可以有效去除铜箔表面杂质,从而使制备得到的石墨烯电学性能得到改善,质量显著提高。 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/17621]  |
| 专题 | 2019专题 |
| 作者单位 | 1.昆明理工大学材料科学与工程学院 2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘湘祁,尹建成,林正得. 铜箔表面化学刻蚀预处理对CVD法制备石墨烯的影响[J]. 材料科学与工程学报,2019,37(05):763-767. |
| APA | 刘湘祁,尹建成,&林正得.(2019).铜箔表面化学刻蚀预处理对CVD法制备石墨烯的影响.材料科学与工程学报,37(05),763-767. |
| MLA | 刘湘祁,et al."铜箔表面化学刻蚀预处理对CVD法制备石墨烯的影响".材料科学与工程学报 37.05(2019):763-767. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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