射频离子阱中N~（2＋）与N_2碰撞电荷转移研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗学立; 颜; 陈永泰; 冯芒; 高克林; 朱熙文; 蔡永 |
| 刊名 | 化学物理学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 012期号:001页码:8 |
| ISSN号 | 1674-0068 |
| 英文摘要 | 用电子轰击的方法在射频离子阱中产生的囚禁Ｎ＾２＋，并通过质量选择囚禁和抛出检测研究了平衡能量的约为１．４ｅＶ的Ｎ＾２＋与Ｎ２的低能碰撞过程，测量得到了电荷转移速率系数为１．８９（０．５６）×１０＾０－９ｃｍ＾３ｓ＾０１。与理论计算值Ｌａｎｇｅｖｉｎ速度系数和他人在不同条件下的实验值符合。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.wipm.ac.cn/handle/112942/15264]  |
| 专题 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗学立,颜,陈永泰,等. 射频离子阱中N~（2＋）与N_2碰撞电荷转移研究[J]. 化学物理学报,1999,012(001):8. |
| APA | 罗学立.,颜.,陈永泰.,冯芒.,高克林.,...&蔡永.(1999).射频离子阱中N~（2＋）与N_2碰撞电荷转移研究.化学物理学报,012(001),8. |
| MLA | 罗学立,et al."射频离子阱中N~（2＋）与N_2碰撞电荷转移研究".化学物理学报 012.001(1999):8. |
入库方式： OAI收割
来源：武汉物理与数学研究所
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