激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈永泰; 高克林; 朱熙文; 蔡永 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 026期号:003页码:243 |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 英文摘要 | 用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Ｃｏ和Ｔｉ的多电荷离子，结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法，得到了稳定囚禁的低能（电子伏特能量）Ｃｏ＾３＋和Ｔｉ＾４＋离子。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.wipm.ac.cn/handle/112942/17803]  |
| 专题 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈永泰,高克林,朱熙文,等. 激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子[J]. 中国激光,1999,026(003):243. |
| APA | 陈永泰,高克林,朱熙文,&蔡永.(1999).激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子.中国激光,026(003),243. |
| MLA | 陈永泰,et al."激光溅射法在射频离子阱中产生和囚禁低能多电荷离子".中国激光 026.003(1999):243. |
入库方式： OAI收割
来源：武汉物理与数学研究所
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