Ti/Al↓2O↓3和Ni/Al↓2O↓3界面电子结构的量子化学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘韩星1; 任海兰2; 欧阳世翕1 |
| 刊名 | 硅酸盐学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 025期号:006页码:697 |
| ISSN号 | 0454-5648 |
| 英文摘要 | 采用量子化学离散变分方法，对Ｔｉ／Ａｌ２Ｏ３和Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３界面的电子结构进行研究。结果表明，相对于表面氧的四面体空位，两种体系中的金属原子均优先占据表面的氧的八面体空位，计算的分子价轨的态密度与光电子能谱的实验结果符合较好，Ｔｉ，Ｎｉ的存在引起Ａｌ２Ｏ３中Ａｌ净电荷及Ａｌ－Ｏ键级的不同也与光电子能谱的实验结果相一致。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.wipm.ac.cn/handle/112942/18466]  |
| 专题 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 作者单位 | 1.武汉理工大学 2.中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘韩星,任海兰,欧阳世翕. Ti/Al↓2O↓3和Ni/Al↓2O↓3界面电子结构的量子化学研究[J]. 硅酸盐学报,1997,025(006):697. |
| APA | 刘韩星,任海兰,&欧阳世翕.(1997).Ti/Al↓2O↓3和Ni/Al↓2O↓3界面电子结构的量子化学研究.硅酸盐学报,025(006),697. |
| MLA | 刘韩星,et al."Ti/Al↓2O↓3和Ni/Al↓2O↓3界面电子结构的量子化学研究".硅酸盐学报 025.006(1997):697. |
入库方式： OAI收割
来源：武汉物理与数学研究所
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