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射频阱中基态Sc~(3+)与Ti~(3+)多电荷离子的产生及存储特性

文献类型:期刊论文

作者蒋玉蓉1; 聂宗秀2; 李交美2; 高克林2; Gao Kelin2
刊名中国激光
出版日期2002
卷号029期号:002页码:149
ISSN号0258-7025
英文摘要结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Sc^n+(n=1~3)和Ti^n+(n=1~4)。在本底气压为5.6×10^-7Pa下,测得Sc^3+与Ti^3+离子的衰减速率分别为1.98s^-1与0.58s^-1。
语种英语
源URL[http://ir.wipm.ac.cn/handle/112942/18647]  
专题中国科学院武汉物理与数学研究所
作者单位1.中国科学院武汉物理与数学研究所
2.北京理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
蒋玉蓉,聂宗秀,李交美,等. 射频阱中基态Sc~(3+)与Ti~(3+)多电荷离子的产生及存储特性[J]. 中国激光,2002,029(002):149.
APA 蒋玉蓉,聂宗秀,李交美,高克林,&Gao Kelin.(2002).射频阱中基态Sc~(3+)与Ti~(3+)多电荷离子的产生及存储特性.中国激光,029(002),149.
MLA 蒋玉蓉,et al."射频阱中基态Sc~(3+)与Ti~(3+)多电荷离子的产生及存储特性".中国激光 029.002(2002):149.

入库方式: OAI收割

来源:武汉物理与数学研究所

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