GdI_3:Ce闪烁体中子探测性能测试与改进研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王中庆; 黄跃峰; 李勇平 |
| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2018-02-20 |
| 卷号 | 52期号:02页码:365-370 |
| 关键词 | 闪烁体 中子探测 γ抑制 Monte Carlo模拟 线性吸收系数 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 为改善GdI_3:Ce闪烁体在探测中子过程中的γ抑制能力,使用Geant4和XCOM计算了其γ线性吸收系数,并通过模拟计算与实验测量研究了铅屏蔽法抑制γ的有效性。结果表明:GdI_3:Ce闪烁体在探测中子过程中易受低能γ射线的干扰;随着铅层厚度的增加,100keV~1 MeV的γ射线对中子探测的干扰减小,而3~10 MeV的γ射线的干扰呈先增加后减小的趋势。对~(252)Cf中子源的实验测试发现,在碘化钆闪烁体外围添加铅层后,中子峰得以显现;随着铅层厚度的增加,中子峰内净计数减小,而净计数与本底计数的比值上升。模拟和实验结果均表明,在使用GdI_3:Ce闪烁体探测中子时,应根据中子探测效率和信噪比的优化确定γ屏蔽铅层的厚度。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/31298]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海应用物理研究所 2.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王中庆,黄跃峰,李勇平. GdI_3:Ce闪烁体中子探测性能测试与改进研究[J]. 原子能科学技术,2018,52(02):365-370. |
| APA | 王中庆,黄跃峰,&李勇平.(2018).GdI_3:Ce闪烁体中子探测性能测试与改进研究.原子能科学技术,52(02),365-370. |
| MLA | 王中庆,et al."GdI_3:Ce闪烁体中子探测性能测试与改进研究".原子能科学技术 52.02(2018):365-370. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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