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共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究(英文)

文献类型:期刊论文

作者李志伟; 郭的坪; 黄广艺; 陶王莉; 段满益
刊名Chinese Journal of Chemical Physics
出版日期2018-06-27
卷号31期号:03页码:313-317
关键词电子结构 光学性质 单层In_(1-x)Ga_xN Heyd-Scuseria-Ernzerh方法
文献子类期刊论文
英文摘要本文基于第一性原理中的Heyd-Scuseria-Ernzerh方法研究了单层In_(1-x)Ga_xN的电子结构和光学性质.计算得到单层In_(1-x)Ga_xN的能带结构和态密度(DOS),发现随着掺杂比例的变化,体系带隙的变化范围是1.8~3.8 eV,表明通过Ga的掺杂可以实现体系带隙值的调节.并且还研究了单层In_(1-x)Ga_xN的介电函数,折射率和吸收系数等光学性质,结果表明随着Ga掺杂浓度的增加,介电函数谱的主峰和吸收谱发生了显著的蓝移.此外,基于能带结构和态密度图谱,对单层In_(1-x)Ga_xN的光学性质进行分析,预测这种材料独特的光学性质在纳米电子学和光学器件中会有广泛的应用.
语种英语
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/31346]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年
作者单位1.中国科学院上海应用物理研究所水科学与技术研究室
2.四川师范大学物理与电子工程学院
推荐引用方式
GB/T 7714
李志伟,郭的坪,黄广艺,等. 共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究(英文)[J]. Chinese Journal of Chemical Physics,2018,31(03):313-317.
APA 李志伟,郭的坪,黄广艺,陶王莉,&段满益.(2018).共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究(英文).Chinese Journal of Chemical Physics,31(03),313-317.
MLA 李志伟,et al."共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究(英文)".Chinese Journal of Chemical Physics 31.03(2018):313-317.

入库方式: OAI收割

来源:上海应用物理研究所

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