一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 邓惠勇; 潘昌翊; 殷子薇; 谢经辉; 张祎; 李世民; 王超; 戴宁 |
| 发表日期 | 2017-10-24 |
| 专利号 | 201810090440.9 |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 公开日期 | 2019-07-23 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12322]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓惠勇,潘昌翊,殷子薇,等. 一种GaAs基LFET THz红外光探测器和制备方法. 201810090440.9. 2017-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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