基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林虹宇; 谢浩; 王洋; 陆宏波; 孙艳 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 39期号:5页码:42-48 |
| 关键词 | 探测器 暗电流 阻挡层 能带图 |
| DOI | 10.3788/AOS201939.0504002 |
| 英文摘要 | 在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度（粒子数浓度）,并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40nm、掺杂浓度为2×1018 cm-3时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60nm、掺杂浓度为4×1017 cm-3时,器件的开关比最大。 |
| WOS记录号 | WOS:无 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12388]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林虹宇,谢浩,王洋,等. 基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真[J]. 光学学报,2019,39(5):42-48. |
| APA | 林虹宇,谢浩,王洋,陆宏波,&孙艳.(2019).基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真.光学学报,39(5),42-48. |
| MLA | 林虹宇,et al."基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真".光学学报 39.5(2019):42-48. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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