8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汪波; 王立恒; 刘伟鑫; 孔泽斌; 李豫东 ; 李珍; 王昆黍; 祝伟明; 宣明
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| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 39期号:5页码:41-49 |
| ISSN号 | 0253-2239 |
| 关键词 | 探测器 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器 重离子辐照 单粒子翻转 损伤机理 |
| 英文摘要 | 针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像"卡零"、若干相邻列输出异常、整幅图像"花屏"等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。 |
| CSCD记录号 | CSCD:6512296 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5780]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院新疆理化技术研究所辐射效应实验室 2.中国航天科技集团有限公司第八研究院第八○八研究所元器件保证事业部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪波,王立恒,刘伟鑫,等. 8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理[J]. 光学学报,2019,39(5):41-49. |
| APA | 汪波.,王立恒.,刘伟鑫.,孔泽斌.,李豫东.,...&宣明.(2019).8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理.光学学报,39(5),41-49. |
| MLA | 汪波,et al."8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理".光学学报 39.5(2019):41-49. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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