1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王志铭; 周东; 李豫东 ; 文林; 马林东; 张翔; 郭旗
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| 刊名 | 现代应用物理
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 10期号:3页码:61-67 |
| 关键词 | HgCdTe 光伏器件 暗电流 电子辐照 辐射效应 位移损伤 |
| ISSN号 | 2095-6223 |
| 英文摘要 | 在室温下开展了1 MeV电子对HgCdTe光伏器件的辐照试验,通过比较电子辐照前、后及室温退火后器件的I-V特性与零偏动态电阻R0,分析了电子辐照对HgCdTe光伏器件暗电流及R0的影响机制。结果表明,随着电子吸收剂量的增加,HgCdTe光伏器件的暗电流减小,R0增大。室温退火后,HgCdTe光伏器件的暗电流和R0均有明显恢复。分析认为,电子辐照在HgCdTe光伏器件中产生位移损伤,在P区中引入大量的施主型缺陷,使P区空穴浓度迅速下降,少数载流子寿命增加,从而导致暗电流减小,R0增大。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7142]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志铭,周东,李豫东,等. 1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响[J]. 现代应用物理,2019,10(3):61-67. |
| APA | 王志铭.,周东.,李豫东.,文林.,马林东.,...&郭旗.(2019).1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响.现代应用物理,10(3),61-67. |
| MLA | 王志铭,et al."1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响".现代应用物理 10.3(2019):61-67. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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