Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征
文献类型:期刊论文
作者 | 王静2; 邓彤1; 杨彩琴2; 林玉龙2; 王伟2; 吴海艳2 |
刊名 | 光谱学与光谱分析
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 028期号:003页码:715 |
ISSN号 | 1000-0593 |
英文摘要 | 采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。结果表明:Ga取代磁铁矿的生成可能经过Ga取代的绿锈中间体,但这种中间体在热N2干燥的条件下就能转化成产物磁铁矿;随Ga进入尖晶石结构中,产物的XRD分析表明其晶面间距减小,IR光谱分析表明标志MT—O—MO的振动吸收峰向高波数移动。少量的Ga进入尖晶石结构优先占据A位,且初始溶液中含有少量Ga^3+能一定程度抑制非磁性的Fe2O3的生成;随Ga含量的增加,其进入B位的趋势增加。 |
语种 | 英语 |
源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/36298] ![]() |
专题 | 中国科学院过程工程研究所 |
作者单位 | 1.中国科学院过程工程研究所 2.河北医科大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王静,邓彤,杨彩琴,等. Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征[J]. 光谱学与光谱分析,2008,028(003):715. |
APA | 王静,邓彤,杨彩琴,林玉龙,王伟,&吴海艳.(2008).Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征.光谱学与光谱分析,028(003),715. |
MLA | 王静,et al."Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征".光谱学与光谱分析 028.003(2008):715. |
入库方式: OAI收割
来源:过程工程研究所
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