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Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征

文献类型:期刊论文

作者王静2; 邓彤1; 杨彩琴2; 林玉龙2; 王伟2; 吴海艳2
刊名光谱学与光谱分析
出版日期2008
卷号028期号:003页码:715
ISSN号1000-0593
英文摘要采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。结果表明:Ga取代磁铁矿的生成可能经过Ga取代的绿锈中间体,但这种中间体在热N2干燥的条件下就能转化成产物磁铁矿;随Ga进入尖晶石结构中,产物的XRD分析表明其晶面间距减小,IR光谱分析表明标志MT—O—MO的振动吸收峰向高波数移动。少量的Ga进入尖晶石结构优先占据A位,且初始溶液中含有少量Ga^3+能一定程度抑制非磁性的Fe2O3的生成;随Ga含量的增加,其进入B位的趋势增加。
语种英语
源URL[http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/36298]  
专题中国科学院过程工程研究所
作者单位1.中国科学院过程工程研究所
2.河北医科大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王静,邓彤,杨彩琴,等. Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征[J]. 光谱学与光谱分析,2008,028(003):715.
APA 王静,邓彤,杨彩琴,林玉龙,王伟,&吴海艳.(2008).Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征.光谱学与光谱分析,028(003),715.
MLA 王静,et al."Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征".光谱学与光谱分析 028.003(2008):715.

入库方式: OAI收割

来源:过程工程研究所

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