热处理温度对金锗薄膜电阻的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李玉智2; 毛鑫1; 石轩1 ; 王春香1; 赵洪泉1; 王俊忠2
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| 刊名 | 中国科学物理学力学天文学
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 049期号:001页码:72 |
| ISSN号 | 1674-7275 |
| 英文摘要 | 金锗薄膜是作为电子器件欧姆电极的重要材料,真空热处理是降低欧姆电极接触电阻的重要方法.本文研究了基于PVD方法生长的Au9Ge1薄膜的表面形貌及其电阻与真空热处理温度之间的关系.研究发现,当真空热处理温度达到180°C时,薄膜表面开始出现由于锗原子的析出形成的零星小点.随着真空热处理温度的上升,锗原子的析出从分散的点逐渐转变成发散的雪花状,薄膜的电阻也随之出现明显下降.当真空热处理温度达到265°C时,薄膜电阻率达到最小值-2.0175Ω/mm.当真空热处理温度继续升高时,表层金原子开始团聚形成小岛状结核,同时薄膜电阻开始急剧增大.当真空热处理温度达到280°C时,薄膜电阻率达到-6.4×10^5Ω/mm,此时薄膜断电.相比于未经任何热处理的样品, 265°C的真空热处理能够将Au9Ge1薄膜电极的电阻率降低-50%.本研究工作为降低金锗合金电极的电阻率提供了一种有效的方法. |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/8977]  |
| 专题 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院重庆绿色智能技术研究院 2.西南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李玉智,毛鑫,石轩,等. 热处理温度对金锗薄膜电阻的影响[J]. 中国科学物理学力学天文学,2019,049(001):72. |
| APA | 李玉智,毛鑫,石轩,王春香,赵洪泉,&王俊忠.(2019).热处理温度对金锗薄膜电阻的影响.中国科学物理学力学天文学,049(001),72. |
| MLA | 李玉智,et al."热处理温度对金锗薄膜电阻的影响".中国科学物理学力学天文学 049.001(2019):72. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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