单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林煌丁2; 刘相志1; 方浩1; 周全1; 张恩亮1; 严鑫2; 冷重钱1 ; 张风燕2
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| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 049期号:006页码:6163 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 英文摘要 | 采用单靶磁控溅射法制备了铜锌锡硫（CZTS）薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱（Raman）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-Vis-NIR）和扫描电镜（SEM）分别对CZTS薄膜的物相结构、光学性能以及表面形貌进行表征，结果表明，退火后的CZTS薄膜具有单一相的锌黄锡矿结构、适合的禁带宽度（1.51 eV）以及平整致密的表面形貌。通过制备CZTS/n-Si异质结光电探测器，光电性能测试显示，器件在450，635和980 nm波长的光源下均具有良好的光伏效应。在0 V偏压，功率密度为3 mW/cm 2的980 nm光源照射条件下，器件的响应的上升时间（ τ r）和下降时间（ τ d）分别为 τ r=41 ms， τ d=126 ms，电流开关比为434.9。CZTS/n-Si异质结结构有利于提高载流子的分离效率，比纯n-Si探测器与纯CZTS探测器具有更大的电流开关比，为低成本、高性能及环境友好光电探测器提供新方案。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/9467]  |
| 专题 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院重庆绿色智能技术研究院 2.厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林煌丁,刘相志,方浩,等. 单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器[J]. 功能材料,2018,049(006):6163. |
| APA | 林煌丁.,刘相志.,方浩.,周全.,张恩亮.,...&张风燕.(2018).单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器.功能材料,049(006),6163. |
| MLA | 林煌丁,et al."单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器".功能材料 049.006(2018):6163. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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