半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 高岡 圭児; 船水 将久; 国分 義弘 |
| 发表日期 | 1996-10-01 |
| 专利号 | JP1996255950A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半絶縁性InP層内のFeとp-InP層内のZnの相互拡散を防ぐことができ、半絶縁性InP層の抵抗率を高く保ち、漏れ電流が小さく、高出力まで動作可能な埋め込み型半導体レーザを提供すること。 【構成】 InP基板101上に形成された量子井戸活性層102を含むメサ部と、このメサ部の側面を埋め込む埋め込み部とを備えた半導体レーザにおいて、埋め込み部は、p-InP層11と、InPよりもバンドギャップの大きいInGaAlAs層112と、半絶縁性のInP層113と、n-InP層114とを順に積層してなるものであることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-10-01 |
| 申请日期 | 1995-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83121]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,高岡 圭児,船水 将久,等. 半導体レーザ. JP1996255950A. 1996-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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