半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 野口 悦男; 小高 勇; 脇田 紘一 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121722A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 半導体レーザの共振器が結晶方位として順メサストライプ方向に形成された高抵抗層埋め込み構造の半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体発光装置は少なくとも、第1の導電型を有する半導体基板の(100)面上に設けられた活性層と該活性層上に設けられた第2の導電型を有するクラッド層とからなり、 第1のメサストライプ領域と、該第1のメサストライプの両側部に設けられ、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層と、前記第1のメサストライプ領域の両側部に設けられ、少なくとも表面に絶縁体が被覆された断面V字型の溝とを含み、該V字型の溝と前記第1のメサストライプ領域との間には前記電流阻止層が介在している。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83129]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,野口 悦男,小高 勇,等. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1993121722A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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